NCV33152DR2G

உற்பத்தியாளர் பகுதி எண்:	NCV33152DR2G
உற்பத்தியாளர்:	Rochester Electronics
விளக்கத்தின் ஒரு பகுதி:	BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
தகவல் தாள்கள்:	NCV33152DR2G தகவல் தாள்கள்
முன்னணி இலவச நிலை / RoHS நிலை:	முன்னணி இலவசம் / RoHS இணக்கமானது
பங்கு நிலை:	கையிருப்பில்
இருந்து கப்பல்:	Hong Kong
ஏற்றுமதி வழி:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

கருத்து: Rochester Electronics NCV33152DR2G chipnets.com இல் கிடைக்கிறது. நாங்கள் புதிய மற்றும் அசல் பகுதியை மட்டுமே விற்பனை செய்கிறோம் மற்றும் 1 வருட உத்தரவாத நேரத்தை வழங்குகிறோம். நீங்கள் தயாரிப்புகளைப் பற்றி மேலும் அறிய அல்லது அதிக விலைக்கு விண்ணப்பிக்க விரும்பினால், எங்களைத் தொடர்புகொள்ளவும் ஆன்லைன் அரட்டையைக் கிளிக் செய்யவும் அல்லது எங்களுக்கு மேற்கோள் அனுப்பவும்.

அனைத்து எலெக்ட்ரானிக்ஸ் கூறுகளும் ESD ஆண்டிஸ்டேடிக் பாதுகாப்பு மூலம் மிகவும் பாதுகாப்பாக பேக்கிங் செய்யப்படும்.

package

விவரக்குறிப்பு

வகை	விளக்கம்
தொடர்	-
தொகுப்பு	Bulk
பகுதி நிலை	Active
இயக்கப்படும் கட்டமைப்பு	Low-Side
சேனல் வகை	Independent
இயக்கிகளின் எண்ணிக்கை	2
கேட் வகை	N-Channel MOSFET
மின்னழுத்தம் - வழங்கல்	6.1V ~ 18V
லாஜிக் மின்னழுத்தம் - VIL, VIH	0.8V, 2.6V
நடப்பு - உச்ச வெளியீடு (மூல, மடு)	1.5A, 1.5A
உள்ளீட்டு வகை	Non-Inverting
உயர் பக்க மின்னழுத்தம் - அதிகபட்சம் (பூட்ஸ்டார்ப்)	-
எழுச்சி / வீழ்ச்சி நேரம் (வகை)	36ns, 32ns
இயக்க வெப்பநிலை	-40°C ~ 150°C (TJ)
பெருகிவரும் வகை	Surface Mount
தொகுப்பு / வழக்கு	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
சப்ளையர் சாதன தொகுப்பு	8-SOIC

வாங்கும் விருப்பங்கள்

பங்கு நிலை: 16794

குறைந்தபட்சம்: 1

அளவு	அலகு விலை	Ext. விலை
விலை கிடைக்கவில்லை, தயவுசெய்து RFQ

சரக்கு கணக்கீடு

FedEx மூலம் US $40.

3-5 நாட்களில் வந்து சேரும்

எக்ஸ்பிரஸ்:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$ க்கு மேல் உள்ள ஆர்டர்களுக்கு முதல் 0.5 கிலோவிற்கு இலவச ஷிப்பிங், அதிக எடை தனித்தனியாக வசூலிக்கப்படும்

பிரபலமான மாதிரிகள்

	NCV33152DR2 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NCV33152DR2G Rochester Electronics

இந்த உருப்படி உங்கள் கார்ட்டில் சேர்க்கப்பட்டது.